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  本发明专利技术提供一种单晶硅棒的制备方法，包括：向坩埚中装料；所述装料的方法有：按照硅原料的形状将所述硅原料分成不规则块状硅和球形硅；将不规则块状硅按照尺寸大小分成第一尺寸的块状硅、第二尺寸的块状硅和第三尺寸的块状硅，尺寸大小用于表示位于块状硅上的相距最远的两个点间的距离；将第一尺寸的块状硅铺设于所述坩埚底部；在铺设的第一尺寸的块状硅之上分别铺设第二尺寸的块状硅和球形硅，其中，第二尺寸的块状硅沿所述坩埚内侧壁进行铺设，以使球形硅包裹在所述第二尺寸的块状硅和第一尺寸的块状硅之间；在第二尺寸的块状硅和球形硅上铺设第三尺寸的块状硅，以使所述球形硅被封盖。该办法能够更好的保护坩埚，防止氢跳，减少相关成本。减少相关成本。降低成本。

  [0002]近年来，随着碳中和，新能源行业的发展，单晶硅行业作为必不可少的一部分，也得到蓬勃发展。单晶硅的品质直接关乎到后续制得的太阳能电池片的转化效率，所以单晶拉制流程中各个工序的把控特别的重要。并且在生产时，不仅考虑单晶的品质问题，也需要仔细考虑成本。以硅料为例，区别于原本使用的致密料、疏松料等，球形料呈颗粒状，且直径较小，最主要的是球形硅的生产所带来的成本低，大量的使用球形硅可以大幅度降低生产成本。[0003]然而球形硅在使用的过程中存在许多问题，例如，用来熔融硅料的坩埚容易被腐蚀，出现小凹点。在硅料融化的过程中氢气释放开来，会形成硅液面不稳定，硅点乱窜，俗称“氢跳”现象，当硅点溅到导流筒和其他器件上，将会直接影响晶棒的成晶和品质。此外，球形硅导热性差，有可能会出现会形成不良导体块，导致坩埚系统中区域性过热，严重的直接引起坩埚鼓泡、塌边，没有办法进行正常的生产。

  [0004]有鉴于此，本专利技术提供一种单晶硅棒的制备方法，用以解决上述

  1.一种单晶硅棒的制备方法，其特征是，包括：向坩埚中装料；所述装料的方法有：按照硅原料的形状将所述硅原料分成不规则块状硅和球形硅；将所述不规则块状硅按照尺寸大小分成第一尺寸的块状硅、第二尺寸的块状硅和第三尺寸的块状硅，所述尺寸大小用于表示位于块状硅上的相距最远的两个点间的距离；将所述第一尺寸的块状硅铺设于所述坩埚底部；在铺设的所述第一尺寸的块状硅之上分别铺设所述第二尺寸的块状硅和球形硅，其中，所述第二尺寸的块状硅沿所述坩埚内侧壁进行铺设，以使所述球形硅包裹在所述第二尺寸的块状硅和所述第一尺寸的块状硅之间；在所述第二尺寸的块状硅和球形硅上铺设所述第三尺寸的块状硅，以使所述球形硅被封盖。2.依据权利要求1所述的制备方法，其特征是，所述第二尺寸不小于第一尺寸，所述第三尺寸不小于第二尺寸。3.依据权利要求1或2所述的制备方法，其特征是，将所述第一尺寸的块状硅铺设于所述坩埚底部，包括：将所述第一尺寸的块状硅从所述坩埚的底部向上铺设至R角，所述R角为所述坩埚底部与所述坩埚侧壁间的圆弧。4.依据权利要求1或2所述的制备方法，其特征是，所述球形硅的铺设面积小于所述第一尺寸的块状硅的铺设面积。5.依据权利要求1或2所述的制备方法，其特征是，所述第一尺寸的范围在3‑50mm之间。6.依据权利要求5所述的制备方法，其特征是，所述...