在长鑫存储上市之后，另一家万众瞩目的存储巨头长江存储也迈出IPO的关键一步。

  格隆汇获悉，8月21日，长江存储控股股份有限公司（简称“长存控股”或“长江存储”）科创板IPO获受理，由中信证券、中信建投证券担任保荐人。

  今年5月19日，长存控股在湖北证监局完成IPO辅导备案登记，8月19日完成IPO辅导验收。

  长存控股和长鑫科技虽然都是存储巨头，但是二者做的产品有较大的区别，并非直接竞争，而是互补关系。

  简单来说，我们大家常常说到的手机8GB、16GB的运行内存，就是长鑫科技的业务范畴。

  而所谓的128GB、512GB存储空间，则是由NAND闪存芯片提供的，它负责在断电后依然能保存所有数据，这就是长存控股所涉足的领域。

  长存控股自2024年扭亏后盈利水平快速提升，2026年1-3月实现营业收入470.42亿元、归母净利润333.79亿元。

  长存控股成立于2016年12月，2025年9月改制为股份公司，总部在武汉东湖新技术开发区。

  公司前身为长存有限，由芯飞科技、大基金一期、湖北科投、国芯基金共同出资设立。

  本次发行前，持有长存控股10%以上股份的股东分别为：湖北长晟持股26.54%，芯飞科技持股25.35%，大基金一期持股11.97%，大基金二期持股11.38%。

  上述股东持股比例较为接近且均未超过30%，公司不存在直接持有股权或享有的表决权足以对公司股东会决议产生重大影响的单一股东，不存在控制股权的人、实际控制人。

  公司主要股东向上穿透后的主要出资主体分别为湖北省国资委、武汉市国资委、东湖高新区管委会、大基金一期、大基金二期。

  长存控股主要是做NAND Flash相关这类的产品的研发、生产与销售，通过宏茂微从事封测等服务。

  公司采用IDM经营模式，业务涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试，并延伸至固态硬盘的模组加工与测试环节。

  公司专注于3D NAND闪存及存储器解决方案，成为全世界首批突破200层NAND存储芯片的企业。

  报告期内，公司主要经营业务收入来源主要为NAND Flash产品。NAND Flash产品依照产品形态分为存储芯片、智能终端产品和固态硬盘，主要使用在于数据中心、企业服务器、消费电子等应用场景。

  公司智能终端产品是以闪存晶粒为基础，集成主控芯片、外围电路、配套固件与UFS、eMMC等标准通信接口，形成系统级存储产品，属于嵌入式存储产品范畴。

  全球主要供应商包括三星、SK海力士、美光科技、铠侠、闪迪等。公司智能终端基本的产品型号如下：

  公司固态硬盘产品以闪存颗粒为基础，集成主控芯片、外围电路、配套固件与PCIe、SATA等标准通信接口，形成系统级存储产品。

  公司存储芯片产品有晶圆和颗粒两种形态。存储晶圆是以高纯度硅片为基底，通过光刻、刻蚀、离子注入等集成电路制造工艺，在硅片上加工制作而成具有数据存储功能的电路结构。

  存储晶圆经切割、分离工艺制成单颗晶粒后，再经过封装、测试制成颗粒。全球主要供应商包括三星、SK海力士、美光科技、铠侠等。

  公司面向个人用户推出致态品牌固态硬盘和存储卡等产品，全球主要供应商包括三星、SK海力士、铠侠、闪迪等。

  长存控股此次上市计划募资330亿元，大多数都用在长江存储量产线技术升级项目、研发相关募投项目。

  存储类可比公司中，三星电子经营事物的规模涵盖消费电子、IT&移动通信、各类芯片制造及晶圆代工业务，基于其全产业链布局，可以通过自身下游产品消化部分存储产品产能。因此，报告期内它的毛利率相对其他存储类可比公司更为稳定。

  其他从事NAND Flash业务的存储行业有突出贡献的公司毛利率变动趋势与公司相似，即2023年处于较低或负值水平，2024年和2025年毛利率回升，2026年第一季度随着存储器商品市场价格的增长毛利率大幅提升。

  2026年第一季度，长存控股NAND Flash产品毛利率已超过美光科技、铠侠及闪迪的综合毛利率，与SK海力士接近。

  长存控股的客户主要是手机、电脑、电视、IoT设备厂商、互联网公司、服务器厂商等。

  报告期内，公司向前五大客户的销售金额合计占各期营业收入的占比分别是55.73%、64.62%、51.65%和54.34%。

  2023年至2025年，公司累计研发投入为141.89亿元，占同期累计营业收入的比例为11.16%。

  截至2025年年底，企业具有研发人员4704人，研发人员数量占当年员工总数的比例超过10%。

  存储芯片行业技术迭代快、投入门槛高。除大额研发支出外，公司也投入了大量资金进行产能建设：报告期内长期资产投入约963.90亿元，折旧摊销约509.49亿元。

  由于规模与国际巨头仍有差距，未来仍需维持高额资本开支，但这也将带来沉重的折旧压力。

  若后续资金不足，或研发方向失误、产品竞争力落后，公司可能会丧失市场占有率。若技术或市场需求出现重大不利变化，巨额投入可能没办法实现预期回报。

  半导体存储器利用半导体介质贮存电荷以实现信息存储，存储、读取、擦除的过程体现为电荷的贮存、检测和释放。

  半导体存储器的基本组成部分为存储芯片。根据原理不同，存储芯片包括非易失性存储芯片（断电后仍保存数据）和易失性存储芯片（断电后丢失数据）：

  在闪存中，NAND Flash的先进的技术（TLC和QLC）适用于大容量应用，是目前主流技术；

  NAND Flash的成熟技术（如SLC）和NOR Flash适用于小容量、低功耗应用场景。

  常见的易失性存储芯片主要为随机存储芯片（RAM），进一步分为DRAM和SRAM。

  DRAM中，DDR通常用于形态标准化和功耗约束适中的设备；LPDDR大多数都用在严格功耗限制的设备，如智能手机等移动终端；GDDR大多数都用在高带宽图形显卡；HBM大多数都用在高性能计算和图形处理。

  在数字经济加快速度进行发展、消费电子科技类产品升级、存储技术迭代及周期修复等因素共同作用下，全球半导体存储器市场规模由2020年的1175亿美元增长至2025年的2300亿美元。

  受供需关系影响，2022年与2023年，全球半导体存储器市场出现短暂下跌。

  2024年，全球算力基础设施建设提速与数字化应用深化带动存储需求提升，市场规模明显回升并保持增长。

  AI技术的迅猛发展引发全球数据总量及存储需求爆发式增长，NAND Flash市场规模随之扩大，特别是云侧AI对数据中心及企业级服务器存储的刚性需求，叠加端侧AI推动智能手机、PC及其他消费电子设备的存储配置升级，共同驱动行业市场规模整体跨越式提升。

  NAND Flash存储产品最重要的包含企业级固态硬盘、消费级固态硬盘、嵌入式存储、存储卡等，下游应用包括数据中心/企业用服务器、个人电脑、手机等智能终端、智能穿戴等其他消费电子、汽车、工业自动化设备等。

  随着数字化应用普及与终端智能化水平提升，产品功能日益丰富，AI渗透率快速提升，数据存储需求显著增加。

  半导体存储器行业有着非常明显的周期性波动特征，近十年已历经三轮周期。本轮（2024年至今）受AI算力与数字化需求驱动，叠加行业减产去库存，市场进入供不应求、量价齐升的上行阶段，景气度创近年新高。

  但历史表明，行业周期性受下游需求（如技术迭代、经济情况）和上游供给（如产能集中释放）双重影响。

  当前高景气度维持的时间存在不确定性，若未来需求放缓或大厂扩产，产品价格可能回落。

  根据Trend Force数据计算，2026年1-3月，长存控股公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

  在产品及业务方面，NAND行业内主要企业为境外企业，包括三星电子、SK海力士、铠侠、美光科技、闪迪等。

  目前日，公司产品技术已达到全球第一梯队水平。2025年，公司与全球行业主要竞争对象主要财务、业务指标比较如下：

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